光刻胶的生产不仅满足一般需求，也满足特定需求。它被调谐到不同波长的光和曝光源。此外，光刻胶具有特定的热流特性，通过特定方法制备，并包含特定表面。这些特性由光刻胶的不同化学成分的类型和数量以及混合过程决定。
 
光刻胶组件
感光器：控制和调节曝光过程中光刻胶的化学反应。
聚合物：当聚合物暴露于光刻胶时，其结构会从可溶变为聚合物。聚合物是特殊的光敏和能量敏感聚合物，通常包括碳、氢和氧。
溶剂：光刻胶中最大的成分，用来稀释光刻胶并使光刻胶保持在液体中。用于负性光刻胶的溶剂是芳族二甲苯，而用于正性光刻胶的溶剂是乙氧基乙酸乙酯。
光敏剂：添加到光刻胶中以限制反应光的光谱范围或将反应光限制在特定波长。 添加剂：将不同类型的添加剂和光刻胶混合在一起以达到特定的效果。 光刻胶的分类基本上可以分为正片和负片两大类。
正性光刻胶
    正性光刻胶的基本聚合物是酚醛聚合物。在光刻胶中，聚合物相对不溶。当光刻胶暴露在紫外线下时，化学结构发生变化，光刻胶变得可溶，称为光解反应。未暴露于紫外光的光刻胶区域不溶于光刻胶显影剂。
正性光刻胶通常具有高分辨率、良好的阶梯覆盖和良好的对比度的特点。正性光刻胶能够保持其尺寸和图案，因为光刻胶显影剂溶剂不会渗入未暴露于紫外线的区域。同时存在着附着力差、抗蚀刻性差、成本高等问题。
 
负光刻胶
    在负光刻胶的情况下，暴露在紫外线下会导致光刻胶的化学结构聚合，这与正光刻胶相反。事实上，这些聚合物形成交联物质，即抗蚀刻物质。因此，为了防止意外曝光，在黄光条件下制作负光刻胶。 负性光刻胶的优点是附着力好，阻隔效果好，感光速度快。但显影时会变形、膨胀，限制了其分辨率，所以一般负光刻胶仅用于在线幅较大的领域。

    正负光刻胶如今仍在半导体制造行业中使用，但许多半导体供应商选择正光刻胶是因为它们能够提供更高的分辨率。负光刻胶提供更快的敏化速度、更宽的工艺范围和显着降低的运营成本。他们每个人都有自己的用处。
 
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