光刻胶是图形转移介质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。目前广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作，是电子制造领域关键材料。以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。光刻工艺约占整个芯片制造成本的 35%，耗时占整个芯片工艺的 40-60%，是半导体制造中最核心的工艺。
      光刻胶主要由感光剂(光引发剂)、聚合剂(感光树脂)、溶剂与助剂构成。光引发剂是光刻胶的最关键成分，对光刻胶的感光度、分辨率起着决定性作用。感光树脂用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，是构成光刻胶的骨架，决定光刻胶包括硬度、柔韧性、附着力等基本属性。溶剂是光刻胶中最大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对光刻胶的化学性质几乎没影响。助剂通常是专有化合物，由各家厂商独自研发，主要用来改变光刻胶特定化学性质。

光刻胶分类方式较多，一般按以下三种方式分类：

1） 按化学反应原理和显影原理不同可分为正性光刻胶跟负性光刻胶；
2）按原材料化学结构不同，可分为光聚合型、光分解型与光交联型；
3）按下游应用 领域不同可分为半导体用光刻胶、面板用光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶下游领域主要包括半导体、面板、PCB 以及 LED 等行业。

      光刻胶自 1959 年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到 PCB 板的制造，并于 20 世纪 90 年代运用到平板显示的加工制造。最终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
      光刻胶行业发展方向基本由下游需求决定，其中半导体领域是技术门槛最高的子领域。光刻胶产品是电子化学品中技术壁垒最高的材料之一，其不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般一块半导体芯片在制造过程中需要进行 10-50 道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商最核心的技术。